JMSH1010AGQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSH1010AGQ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 64 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 291 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

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JMSH1010AGQ datasheet

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JMSH1010AGQ

JMSH1010AGQ 100V 8.8m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 64 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 8.8 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

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JMSH1010AGQ

JMSH1010AG 100V 8.8m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 63 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 8.8 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial Automatio

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JMSH1010AGQ

JMSH1010AKQ 100V 9.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 79 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 9.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

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JMSH1010AGQ

JMSH1010AC JMSH1010AE 100V 9.4mW N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 65 A Pb-free Lead Plating RDS(ON) (@ VGS = 10V) 9.4 mW Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial Autom

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