Справочник MOSFET. JMSH1010AGQ

 

JMSH1010AGQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSH1010AGQ
   Маркировка: SH1010AQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 21 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 291 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSH1010AGQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1010AGQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:400K  jiejie micro
 jmsh1010agq.pdf pdf_icon

JMSH1010AGQ

JMSH1010AGQ100V 8.8m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultralow ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 64 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)8.8 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 4.1. Size:369K  jiejie micro
 jmsh1010ag.pdf pdf_icon

JMSH1010AGQ

JMSH1010AG100V 8.8m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 63 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)8.8 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Automatio

 5.1. Size:349K  jiejie micro
 jmsh1010akq.pdf pdf_icon

JMSH1010AGQ

JMSH1010AKQ100V 9.2m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultralow ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 79 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)9.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.2. Size:1050K  jiejie micro
 jmsh1010ac jmsh1010ae.pdf pdf_icon

JMSH1010AGQ

JMSH1010ACJMSH1010AE100V 9.4mW N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 65 A Pb-free Lead Plating RDS(ON) (@ VGS = 10V) 9.4 mW Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Autom

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.