JMSH1010AK Todos los transistores

 

JMSH1010AK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH1010AK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 64 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 291 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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JMSH1010AK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  jiejie micro
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JMSH1010AK

JMSH1010AK100V 9.2m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 64 A Pb-Free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)9.2 m RoHS and Halogen-Free CompliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Au

 0.1. Size:349K  jiejie micro
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JMSH1010AK

JMSH1010AKQ100V 9.2m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultralow ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 79 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)9.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.1. Size:400K  jiejie micro
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JMSH1010AK

JMSH1010AGQ100V 8.8m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultralow ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 64 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)8.8 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.2. Size:1050K  jiejie micro
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JMSH1010AK

JMSH1010ACJMSH1010AE100V 9.4mW N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 65 A Pb-free Lead Plating RDS(ON) (@ VGS = 10V) 9.4 mW Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Autom

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