JMSH1010AKQ Todos los transistores

 

JMSH1010AKQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH1010AKQ
   Código: SH1010AQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 79 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 291 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de JMSH1010AKQ MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

JMSH1010AKQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:349K  jiejie micro
 jmsh1010akq.pdf pdf_icon

JMSH1010AKQ

JMSH1010AKQ100V 9.2m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultralow ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 79 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)9.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 4.1. Size:323K  jiejie micro
 jmsh1010ak.pdf pdf_icon

JMSH1010AKQ

JMSH1010AK100V 9.2m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 64 A Pb-Free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)9.2 m RoHS and Halogen-Free CompliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Au

 5.1. Size:400K  jiejie micro
 jmsh1010agq.pdf pdf_icon

JMSH1010AKQ

JMSH1010AGQ100V 8.8m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultralow ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 64 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)8.8 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.2. Size:1050K  jiejie micro
 jmsh1010ac jmsh1010ae.pdf pdf_icon

JMSH1010AKQ

JMSH1010ACJMSH1010AE100V 9.4mW N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 65 A Pb-free Lead Plating RDS(ON) (@ VGS = 10V) 9.4 mW Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Autom

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.