JMSH1010AKQ - аналоги и даташиты транзистора

 

JMSH1010AKQ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSH1010AKQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 79 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 291 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для JMSH1010AKQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1010AKQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:349K  jiejie micro
 jmsh1010akq.pdf pdf_icon

JMSH1010AKQ

JMSH1010AKQ100V 9.2m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultralow ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 79 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)9.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 4.1. Size:323K  jiejie micro
 jmsh1010ak.pdf pdf_icon

JMSH1010AKQ

JMSH1010AK100V 9.2m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 64 A Pb-Free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)9.2 m RoHS and Halogen-Free CompliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Au

 5.1. Size:400K  jiejie micro
 jmsh1010agq.pdf pdf_icon

JMSH1010AKQ

JMSH1010AGQ100V 8.8m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultralow ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 64 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)8.8 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.2. Size:1050K  jiejie micro
 jmsh1010ac jmsh1010ae.pdf pdf_icon

JMSH1010AKQ

JMSH1010ACJMSH1010AE100V 9.4mW N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 65 A Pb-free Lead Plating RDS(ON) (@ VGS = 10V) 9.4 mW Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Autom

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSH1006PG , JMSH1006PGS , JMSH1006PK , JMSH1010AC , JMSH1010AE , JMSH1010AG , JMSH1010AGQ , JMSH1010AK , AON7410 , JMSH1010PC , JMSH1010PG , JMSH1010PK , JMSH1010PU , JMSH0406PU , JMSH0406PUQ , JMSH0406BUQ , JMSL0401PG .

History: 2SK2148-01 | BSZ120P03NS3G

 

 
Back to Top

 


 
.