JMSH0406PUQ Todos los transistores

 

JMSH0406PUQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH0406PUQ
   Código: SH0406PQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 57 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 753 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
 

 Búsqueda de reemplazo de JMSH0406PUQ MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

JMSH0406PUQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1236K  jiejie micro
 jmsh0406puq.pdf pdf_icon

JMSH0406PUQ

40V, 57A, 4.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PUQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) ParametersValue Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 2.8 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 57 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.1 mW AEC-Q101 Qualified Pb-free platingApplications Load Swit

 4.1. Size:1235K  jiejie micro
 jmsh0406pu.pdf pdf_icon

JMSH0406PUQ

40V, 54A, 4.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PUProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 54 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.1 mWApplications Load Switch PWM Application Power Managem

 5.1. Size:1174K  jiejie micro
 jmsh0406pgdq.pdf pdf_icon

JMSH0406PUQ

40V, 51A, 5.1m Dual N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PGDQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 2.8 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 51 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.1 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Appli

 5.2. Size:1236K  jiejie micro
 jmsh0406pg.pdf pdf_icon

JMSH0406PUQ

40V, 103A, 3.9m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 103 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.9 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SPDFN

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.