Справочник MOSFET. JMSH0406PUQ

 

JMSH0406PUQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSH0406PUQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 753 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для JMSH0406PUQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0406PUQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1236K  jiejie micro
jmsh0406puq.pdfpdf_icon

JMSH0406PUQ

40V, 57A, 4.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PUQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) ParametersValue Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 2.8 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 57 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.1 mW AEC-Q101 Qualified Pb-free platingApplications Load Swit

 4.1. Size:1235K  jiejie micro
jmsh0406pu.pdfpdf_icon

JMSH0406PUQ

40V, 54A, 4.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PUProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 54 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.1 mWApplications Load Switch PWM Application Power Managem

 5.1. Size:1174K  jiejie micro
jmsh0406pgdq.pdfpdf_icon

JMSH0406PUQ

40V, 51A, 5.1m Dual N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PGDQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 2.8 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 51 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.1 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Appli

 5.2. Size:1236K  jiejie micro
jmsh0406pg.pdfpdf_icon

JMSH0406PUQ

40V, 103A, 3.9m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 103 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.9 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SPDFN

Другие MOSFET... JMSH1010AGQ , JMSH1010AK , JMSH1010AKQ , JMSH1010PC , JMSH1010PG , JMSH1010PK , JMSH1010PU , JMSH0406PU , AO4407 , JMSH0406BUQ , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.