JMSH0406BUQ Todos los transistores

 

JMSH0406BUQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH0406BUQ
   Código: SH0406BQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 59 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
 

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JMSH0406BUQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:386K  jiejie micro
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JMSH0406BUQ

JMSH0406BUQ40V 4.8m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 59 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)4.8 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications PDF

 6.1. Size:1235K  jiejie micro
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JMSH0406BUQ

40V, 54A, 4.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PUProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 54 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.1 mWApplications Load Switch PWM Application Power Managem

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JMSH0406BUQ

JMSH0406AK40V 5.0m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 70 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)5.0 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE, I

 6.3. Size:345K  jiejie micro
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JMSH0406BUQ

JMSH0406AG40V 4.1m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Value Unit VDS Low Gate Charge, Qg 40 V VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 86 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)4.1 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE, IE

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