JMSH0406BUQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSH0406BUQ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L

Аналог (замена) для JMSH0406BUQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0406BUQ даташит

 ..1. Size:386K  jiejie micro
jmsh0406buq.pdfpdf_icon

JMSH0406BUQ

JMSH0406BUQ 40V 4.8m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 59 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 4.8 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications PDF

 6.1. Size:1235K  jiejie micro
jmsh0406pu.pdfpdf_icon

JMSH0406BUQ

40V, 54A, 4.1m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0406PU Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 54 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.1 mW Applications Load Switch PWM Application Power Managem

 6.2. Size:305K  jiejie micro
jmsh0406ak.pdfpdf_icon

JMSH0406BUQ

JMSH0406AK 40V 5.0m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 70 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 5.0 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Computing, CE, I

 6.3. Size:345K  jiejie micro
jmsh0406ag.pdfpdf_icon

JMSH0406BUQ

JMSH0406AG 40V 4.1m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Value Unit VDS Low Gate Charge, Qg 40 V VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 86 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 4.1 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Computing, CE, IE

Другие IGBT... JMSH1010AK, JMSH1010AKQ, JMSH1010PC, JMSH1010PG, JMSH1010PK, JMSH1010PU, JMSH0406PU, JMSH0406PUQ, CS150N03A8, JMSL0401PG, JMSL0401PGQ, JMSL0402AG, JMSL0402AGQ, JMSL0402AK, JMSL0402AKQ, JMSL0402AU, JMSL0402BG