JMSL0402TG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSL0402TG

Código: SL0402T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 108 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 163 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 42 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1233 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

JMSL0402TG datasheet

..1. Size:1192K jiejie micro
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40V, 163A, 2.9m N-channel Power SGT MOSFET JMSL0402TG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 163 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.9 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 2.9 mW Load Switch PWM Application Pow

6.1. Size:285K jiejie micro
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6.2. Size:306K jiejie micro
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JMSL0402AK 40V 1.8m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.5 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 150 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.8 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 2.2 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power

6.3. Size:320K jiejie micro
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