JMSL0402TG Todos los transistores

 

JMSL0402TG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL0402TG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 108 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 163 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1233 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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JMSL0402TG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1192K  jiejie micro
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JMSL0402TG

40V, 163A, 2.9m N-channel Power SGT MOSFETJMSL0402TGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 163 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.9 mWApplications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 2.9 mW Load Switch PWM Application Pow

 6.1. Size:285K  jiejie micro
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JMSL0402TG

 6.2. Size:306K  jiejie micro
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JMSL0402TG

JMSL0402AK40V 1.8m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.5 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 150 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.8 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)2.2 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power

 6.3. Size:320K  jiejie micro
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JMSL0402TG

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