Справочник MOSFET. JMSL0402TG

 

JMSL0402TG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSL0402TG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 163 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1233 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSL0402TG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0402TG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1192K  jiejie micro
jmsl0402tg.pdfpdf_icon

JMSL0402TG

40V, 163A, 2.9m N-channel Power SGT MOSFETJMSL0402TGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 163 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.9 mWApplications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 2.9 mW Load Switch PWM Application Pow

 6.1. Size:285K  jiejie micro
jmsl0402au.pdfpdf_icon

JMSL0402TG

 6.2. Size:306K  jiejie micro
jmsl0402ak.pdfpdf_icon

JMSL0402TG

JMSL0402AK40V 1.8m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.5 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 150 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.8 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)2.2 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power

 6.3. Size:320K  jiejie micro
jmsl0402bg.pdfpdf_icon

JMSL0402TG

Другие MOSFET... JMSL0402AKQ , JMSL0402AU , JMSL0402BG , JMSL0402BGQ , JMSL0402MGQ , JMSL0402MTL , JMSL0402PG , JMSL0402PTL , SKD502T , , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.