JMSL0402TG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL0402TG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 163 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1233 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

Аналог (замена) для JMSL0402TG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0402TG даташит

 ..1. Size:1192K  jiejie micro
jmsl0402tg.pdfpdf_icon

JMSL0402TG

40V, 163A, 2.9m N-channel Power SGT MOSFET JMSL0402TG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 163 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.9 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 2.9 mW Load Switch PWM Application Pow

 6.1. Size:285K  jiejie micro
jmsl0402au.pdfpdf_icon

JMSL0402TG

 6.2. Size:306K  jiejie micro
jmsl0402ak.pdfpdf_icon

JMSL0402TG

JMSL0402AK 40V 1.8m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.5 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 150 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.8 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 2.2 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power

 6.3. Size:320K  jiejie micro
jmsl0402bg.pdfpdf_icon

JMSL0402TG

Другие IGBT... JMSL0402AKQ, JMSL0402AU, JMSL0402BG, JMSL0402BGQ, JMSL0402MGQ, JMSL0402MTL, JMSL0402PG, JMSL0402PTL, RFP50N06, JMTR3002A, JMTT8810KS, JMTV070N02A, JMTV075N03A, JMTV080N02A, JMTV100N02A, JMTV120N03A, JMTV200P03A