JMTT8810KS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTT8810KS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 103 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP-8
Búsqueda de reemplazo de JMTT8810KS MOSFET
JMTT8810KS Datasheet (PDF)
jmtt8810ks.pdf
JMTT8810KSDescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 20V, 4.8A Load SwitchR
Otros transistores... JMSL0402BG , JMSL0402BGQ , JMSL0402MGQ , JMSL0402MTL , JMSL0402PG , JMSL0402PTL , JMSL0402TG , JMTR3002A , AO3407 , JMTV070N02A , JMTV075N03A , JMTV080N02A , JMTV100N02A , JMTV120N03A , JMTV200P03A , JMTV210P02A , JMTV2305A .
History: ASDM3050 | IPA60R380C6
History: ASDM3050 | IPA60R380C6
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
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