JMTT8810KS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTT8810KS
Código: 8810KS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
Qgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 103 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Encapsulados: TSSOP-8
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JMTT8810KS datasheet
jmtt8810ks.pdf
JMTT8810KS Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 20V, 4.8A Load Switch R
Otros transistores... JMSL0402BG, JMSL0402BGQ, JMSL0402MGQ, JMSL0402MTL, JMSL0402PG, JMSL0402PTL, JMSL0402TG, JMTR3002A, AO3407, JMTV070N02A, JMTV075N03A, JMTV080N02A, JMTV100N02A, JMTV120N03A, JMTV200P03A, JMTV210P02A, JMTV2305A
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60 | ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ
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