JMTT8810KS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTT8810KS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 103 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

Аналог (замена) для JMTT8810KS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTT8810KS даташит

 ..1. Size:342K  jiejie micro
 jmtt8810ks.pdf pdf_icon

JMTT8810KS

JMTT8810KS Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 20V, 4.8A Load Switch R

Другие IGBT... JMSL0402BG, JMSL0402BGQ, JMSL0402MGQ, JMSL0402MTL, JMSL0402PG, JMSL0402PTL, JMSL0402TG, JMTR3002A, AO3407, JMTV070N02A, JMTV075N03A, JMTV080N02A, JMTV100N02A, JMTV120N03A, JMTV200P03A, JMTV210P02A, JMTV2305A