JMTV200P03A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTV200P03A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 166 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0177 Ohm

Encapsulados: DFN2020-6L

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JMTV200P03A datasheet

 ..1. Size:1260K  jiejie micro
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JMTV200P03A

JMTV200P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -11A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:1017K  jiejie micro
 jmtv2333a.pdf pdf_icon

JMTV200P03A

JMTV2333A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications -12V, -8A Load Switch RDS(ON)

 9.2. Size:398K  jiejie micro
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JMTV200P03A

JMTV250P02A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application -20V, -10A Load Switch R

 9.3. Size:686K  jiejie micro
 jmtv240n03a.pdf pdf_icon

JMTV200P03A

JMTV240N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 10A Load Switch RDS(ON)

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