JMTV200P03A Todos los transistores

 

JMTV200P03A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTV200P03A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 166 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0177 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2020-6L
 

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JMTV200P03A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1260K  jiejie micro
 jmtv200p03a.pdf pdf_icon

JMTV200P03A

JMTV200P03ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications -30V, -11A Load SwitchRDS(ON)

 9.1. Size:1017K  jiejie micro
 jmtv2333a.pdf pdf_icon

JMTV200P03A

JMTV2333ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications -12V, -8A Load SwitchRDS(ON)

 9.2. Size:398K  jiejie micro
 jmtv250p02a.pdf pdf_icon

JMTV200P03A

JMTV250P02ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application -20V, -10A Load SwitchR

 9.3. Size:686K  jiejie micro
 jmtv240n03a.pdf pdf_icon

JMTV200P03A

JMTV240N03ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 10A Load SwitchRDS(ON)

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