JMTV200P03A datasheet, аналоги, параметры транзистора

JMTV200P03A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTV200P03A

Маркировка: 200P03A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0177 Ohm

Тип корпуса: DFN2020-6L

Аналог (замена) для JMTV200P03A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:1260K jiejie micro
jmtv200p03a.pdf pdf_icon

JMTV200P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -11A Load Switch RDS(ON)

9.1. Size:1017K jiejie micro
jmtv2333a.pdf pdf_icon

JMTV2333A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications -12V, -8A Load Switch RDS(ON)

9.2. Size:398K jiejie micro
jmtv250p02a.pdf pdf_icon

JMTV250P02A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application -20V, -10A Load Switch R

9.3. Size:686K jiejie micro
jmtv240n03a.pdf pdf_icon

JMTV240N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 10A Load Switch RDS(ON)