JMTV210P02A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTV210P02A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 213 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0151 Ohm
Encapsulados: DFN2020-6L
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JMTV210P02A datasheet
jmtv210p02a.pdf
JMTV210P02A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -20V, -15A Load Switch RDS(ON)
jmtv2333a.pdf
JMTV2333A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications -12V, -8A Load Switch RDS(ON)
jmtv250p02a.pdf
JMTV250P02A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application -20V, -10A Load Switch R
jmtv240n03a.pdf
JMTV240N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 10A Load Switch RDS(ON)
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History: HTN020N03 | JMTP130P04A
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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