JMTP9926A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTP9926A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 116 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de JMTP9926A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JMTP9926A datasheet

 ..1. Size:1005K  jiejie micro
jmtp9926a.pdf pdf_icon

JMTP9926A

JMTP9926A Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 6.5A Load Switch RDS(ON)

 6.1. Size:1008K  jiejie micro
jmtp9926b.pdf pdf_icon

JMTP9926A

JMTP9926B Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 6A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:689K  jiejie micro
jmtp9435a.pdf pdf_icon

JMTP9926A

JMTP9435A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -5.1A Load Switch RDS(ON)

Otros transistores... JMTP4407B, JMTP440P04A, JMTP4435A, JMTP4953A, JMTP4953B, JMTP520P04A, JMTP850P04A, JMTP9435A, MMIS60R580P, JMTP9926B, JMTJ100N02A, JMTJ11DN10A, JMTJ210P02A, JMTJ2302C, JMTJ2333A, JMTJ250P02A, JMTJ3400A