JMTP9926A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTP9926A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для JMTP9926A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTP9926A даташит

 ..1. Size:1005K  jiejie micro
jmtp9926a.pdfpdf_icon

JMTP9926A

JMTP9926A Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 6.5A Load Switch RDS(ON)

 6.1. Size:1008K  jiejie micro
jmtp9926b.pdfpdf_icon

JMTP9926A

JMTP9926B Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 6A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:689K  jiejie micro
jmtp9435a.pdfpdf_icon

JMTP9926A

JMTP9435A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -5.1A Load Switch RDS(ON)

Другие IGBT... JMTP4407B, JMTP440P04A, JMTP4435A, JMTP4953A, JMTP4953B, JMTP520P04A, JMTP850P04A, JMTP9435A, MMIS60R580P, JMTP9926B, JMTJ100N02A, JMTJ11DN10A, JMTJ210P02A, JMTJ2302C, JMTJ2333A, JMTJ250P02A, JMTJ3400A