JMTP9926B Todos los transistores

 

JMTP9926B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTP9926B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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JMTP9926B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1008K  jiejie micro
 jmtp9926b.pdf pdf_icon

JMTP9926B

JMTP9926BDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 20V, 6A Load SwitchRDS(ON)

 6.1. Size:1005K  jiejie micro
 jmtp9926a.pdf pdf_icon

JMTP9926B

JMTP9926ADescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 20V, 6.5A Load SwitchRDS(ON)

 9.1. Size:689K  jiejie micro
 jmtp9435a.pdf pdf_icon

JMTP9926B

JMTP9435ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications -30V, -5.1A Load SwitchRDS(ON)

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