JMTP9926B datasheet, аналоги, параметры транзистора

JMTP9926B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTP9926B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для JMTP9926B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:1008K jiejie micro
jmtp9926b.pdf pdf_icon

JMTP9926B Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 6A Load Switch RDS(ON)

6.1. Size:1005K jiejie micro
jmtp9926a.pdf pdf_icon

JMTP9926A Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 6.5A Load Switch RDS(ON)

9.1. Size:689K jiejie micro
jmtp9435a.pdf pdf_icon

JMTP9435A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -5.1A Load Switch RDS(ON)