JMTP9926B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTP9926B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для JMTP9926B
JMTP9926B Datasheet (PDF)
jmtp9926b.pdf

JMTP9926BDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 20V, 6A Load SwitchRDS(ON)
jmtp9926a.pdf

JMTP9926ADescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 20V, 6.5A Load SwitchRDS(ON)
jmtp9435a.pdf

JMTP9435ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications -30V, -5.1A Load SwitchRDS(ON)
Другие MOSFET... JMTP440P04A , JMTP4435A , JMTP4953A , JMTP4953B , JMTP520P04A , JMTP850P04A , JMTP9435A , JMTP9926A , AO4468 , JMTJ100N02A , JMTJ11DN10A , JMTJ210P02A , JMTJ2302C , JMTJ2333A , JMTJ250P02A , JMTJ3400A , JMTJ3401A .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP80P06D | AP80P04NF | AP80P04D | AP80N07F | AP80N07D | AP80N06NF | AP80N04DF | AP80N04D | AP80N03NF | AP80N03DF | AP80N03D | AP80N02NF | AP80N02DF | AP7P15Y | AP7P15D | APG130N06NF
Popular searches
2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet