JMTJ11DN10A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTJ11DN10A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.112 Ohm

Encapsulados: SOT23

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JMTJ11DN10A datasheet

 ..1. Size:1226K  jiejie micro
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JMTJ11DN10A

100V, 3A, 95m N-channel Power Trench MOSFET JMTJ11DN10A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit Halogen-free; RoHS-compliant VDSS 100 V Pb-free plating VGS(th)_Typ 1.6 V ID(@VGS=10V) 3 A Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 86 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 95 mW PWM Application Power Management D1 G1 S

 9.1. Size:960K  jiejie micro
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JMTJ11DN10A

JMTJ100N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications 20V, 8A Load Switch RDS(ON)

Otros transistores... JMTP4953A, JMTP4953B, JMTP520P04A, JMTP850P04A, JMTP9435A, JMTP9926A, JMTP9926B, JMTJ100N02A, 60N06, JMTJ210P02A, JMTJ2302C, JMTJ2333A, JMTJ250P02A, JMTJ3400A, JMTJ3401A, JMTJ3401B, JMTJ3404A