JMTJ11DN10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTJ11DN10A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.112 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de JMTJ11DN10A MOSFET
JMTJ11DN10A Datasheet (PDF)
jmtj11dn10a.pdf
100V, 3A, 95m N-channel Power Trench MOSFETJMTJ11DN10AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit Halogen-free; RoHS-compliantVDSS 100 V Pb-free platingVGS(th)_Typ 1.6 VID(@VGS=10V) 3 AApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 86 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 95 mW PWM Application Power ManagementD1G1S
jmtj100n02a.pdf
JMTJ100N02ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications 20V, 8A Load SwitchRDS(ON)
Otros transistores... JMTP4953A , JMTP4953B , JMTP520P04A , JMTP850P04A , JMTP9435A , JMTP9926A , JMTP9926B , JMTJ100N02A , AO4468 , JMTJ210P02A , JMTJ2302C , JMTJ2333A , JMTJ250P02A , JMTJ3400A , JMTJ3401A , JMTJ3401B , JMTJ3404A .
History: JMTP170N06D
History: JMTP170N06D
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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