JMTJ11DN10A - аналоги и даташиты транзистора

 

JMTJ11DN10A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMTJ11DN10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.112 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для JMTJ11DN10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTJ11DN10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1226K  jiejie micro
jmtj11dn10a.pdfpdf_icon

JMTJ11DN10A

100V, 3A, 95m N-channel Power Trench MOSFETJMTJ11DN10AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit Halogen-free; RoHS-compliantVDSS 100 V Pb-free platingVGS(th)_Typ 1.6 VID(@VGS=10V) 3 AApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 86 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 95 mW PWM Application Power ManagementD1G1S

 9.1. Size:960K  jiejie micro
jmtj100n02a.pdfpdf_icon

JMTJ11DN10A

JMTJ100N02ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications 20V, 8A Load SwitchRDS(ON)

Другие MOSFET... JMTP4953A , JMTP4953B , JMTP520P04A , JMTP850P04A , JMTP9435A , JMTP9926A , JMTP9926B , JMTJ100N02A , AO4468 , JMTJ210P02A , JMTJ2302C , JMTJ2333A , JMTJ250P02A , JMTJ3400A , JMTJ3401A , JMTJ3401B , JMTJ3404A .

History: JMTP4407B

 

 
Back to Top

 


 
.