JMTJ11DN10A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTJ11DN10A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.112 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для JMTJ11DN10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTJ11DN10A даташит

 ..1. Size:1226K  jiejie micro
 jmtj11dn10a.pdf pdf_icon

JMTJ11DN10A

100V, 3A, 95m N-channel Power Trench MOSFET JMTJ11DN10A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit Halogen-free; RoHS-compliant VDSS 100 V Pb-free plating VGS(th)_Typ 1.6 V ID(@VGS=10V) 3 A Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 86 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 95 mW PWM Application Power Management D1 G1 S

 9.1. Size:960K  jiejie micro
 jmtj100n02a.pdf pdf_icon

JMTJ11DN10A

JMTJ100N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications 20V, 8A Load Switch RDS(ON)

Другие IGBT... JMTP4953A, JMTP4953B, JMTP520P04A, JMTP850P04A, JMTP9435A, JMTP9926A, JMTP9926B, JMTJ100N02A, 60N06, JMTJ210P02A, JMTJ2302C, JMTJ2333A, JMTJ250P02A, JMTJ3400A, JMTJ3401A, JMTJ3401B, JMTJ3404A