JMTJ11DN10A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTJ11DN10A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.112 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для JMTJ11DN10A
JMTJ11DN10A Datasheet (PDF)
jmtj11dn10a.pdf
100V, 3A, 95m N-channel Power Trench MOSFETJMTJ11DN10AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit Halogen-free; RoHS-compliantVDSS 100 V Pb-free platingVGS(th)_Typ 1.6 VID(@VGS=10V) 3 AApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 86 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 95 mW PWM Application Power ManagementD1G1S
jmtj100n02a.pdf
JMTJ100N02ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications 20V, 8A Load SwitchRDS(ON)
Другие MOSFET... JMTP4953A , JMTP4953B , JMTP520P04A , JMTP850P04A , JMTP9435A , JMTP9926A , JMTP9926B , JMTJ100N02A , 60N06 , JMTJ210P02A , JMTJ2302C , JMTJ2333A , JMTJ250P02A , JMTJ3400A , JMTJ3401A , JMTJ3401B , JMTJ3404A .
History: IRLU8203PBF | 2SK3111-ZJ | IAUS240N08S5N019 | IPP023N04N
History: IRLU8203PBF | 2SK3111-ZJ | IAUS240N08S5N019 | IPP023N04N
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent