JMTJ210P02A Todos los transistores

 

JMTJ210P02A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTJ210P02A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 213 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0187 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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JMTJ210P02A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:460K  jiejie micro
 jmtj210p02a.pdf pdf_icon

JMTJ210P02A

JMTJ210P02ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications -20V, -7A Load SwitchRDS(ON)

 9.1. Size:378K  jiejie micro
 jmtj250p02a.pdf pdf_icon

JMTJ210P02A

JMTJ250P02ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application -20V, -5A Load SwitchR

 9.2. Size:984K  jiejie micro
 jmtj2333a.pdf pdf_icon

JMTJ210P02A

JMTJ2333ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications -12V, -7A Load SwitchRDS(ON)

 9.3. Size:986K  jiejie micro
 jmtj2302c.pdf pdf_icon

JMTJ210P02A

JMTJ2302CDescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 20V, 4A Load SwitchRDS(ON)

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History: HUF76131SK8

 

 
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