JMTJ210P02A datasheet, аналоги, параметры транзистора

JMTJ210P02A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTJ210P02A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 213 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0187 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для JMTJ210P02A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:460K jiejie micro
jmtj210p02a.pdf pdf_icon

JMTJ210P02A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -20V, -7A Load Switch RDS(ON)

9.1. Size:378K jiejie micro
jmtj250p02a.pdf pdf_icon

JMTJ250P02A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application -20V, -5A Load Switch R

9.2. Size:984K jiejie micro
jmtj2333a.pdf pdf_icon

JMTJ2333A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -12V, -7A Load Switch RDS(ON)

9.3. Size:986K jiejie micro
jmtj2302c.pdf pdf_icon

JMTJ2302C Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 4A Load Switch RDS(ON)