JMTJ3407A Todos los transistores

 

JMTJ3407A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTJ3407A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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JMTJ3407A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:591K  jiejie micro
 jmtj3407a.pdf pdf_icon

JMTJ3407A

JMTJ3407ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications -30V, -4.1A Load SwitchRDS(ON)

 7.1. Size:660K  jiejie micro
 jmtj3401a.pdf pdf_icon

JMTJ3407A

JMTJ3401ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications -30V, -4.2A Load SwitchRDS(ON)

 7.2. Size:1248K  jiejie micro
 jmtj3404a.pdf pdf_icon

JMTJ3407A

30V, 5A, 25m N-channel Power Trench MOSFETJMTJ3404AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit Halogen-free; RoHS-compliantVDSS 30 V Pb-free platingVGS(th)_Typ 1.8 VID(@VGS=10V) 5 AApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 18 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 25 mW PWM Application Power ManagementDG SSOT

 7.3. Size:591K  jiejie micro
 jmtj3401b.pdf pdf_icon

JMTJ3407A

JMTJ3401BDescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications -30V, -4A Load SwitchRDS(ON)

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