DMN2041LSD Todos los transistores

 

DMN2041LSD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMN2041LSD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.16 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.63 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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DMN2041LSD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  diodes
 dmn2041lsd.pdf pdf_icon

DMN2041LSD

DMN2041LSDDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SO-8 Low Gate Threshold Voltage Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-0

 6.1. Size:157K  diodes
 dmn2041l.pdf pdf_icon

DMN2041LSD

DMN2041LN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-23 Low Gate Threshold Voltage Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020

 6.2. Size:123K  tysemi
 dmn2041l.pdf pdf_icon

DMN2041LSD

Product specificationDMN2041LN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-23 Low Gate Threshold Voltage Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Fast Switching Speed Terminal

 7.1. Size:398K  diodes
 dmn2041ufdb.pdf pdf_icon

DMN2041LSD

DMN2041UFDB DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID MAX Device V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25C 40m @ VGS = 4.5V 4.7A Low Profile, 0.6mm Max Height N-Channel 20V 3.7A 65m @ VGS = 2.5V ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and An

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History: LSB55R050GT | HM10P10D

 

 
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