DMN2041LSD - аналоги и даташиты транзистора

 

DMN2041LSD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DMN2041LSD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.16 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.63 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для DMN2041LSD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN2041LSD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  diodes
dmn2041lsd.pdfpdf_icon

DMN2041LSD

DMN2041LSDDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SO-8 Low Gate Threshold Voltage Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-0

 6.1. Size:157K  diodes
dmn2041l.pdfpdf_icon

DMN2041LSD

DMN2041LN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-23 Low Gate Threshold Voltage Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020

 6.2. Size:123K  tysemi
dmn2041l.pdfpdf_icon

DMN2041LSD

Product specificationDMN2041LN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-23 Low Gate Threshold Voltage Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Fast Switching Speed Terminal

 7.1. Size:398K  diodes
dmn2041ufdb.pdfpdf_icon

DMN2041LSD

DMN2041UFDB DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID MAX Device V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25C 40m @ VGS = 4.5V 4.7A Low Profile, 0.6mm Max Height N-Channel 20V 3.7A 65m @ VGS = 2.5V ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and An

Другие MOSFET... DMN2005LPK , DMN2009LSS , DMN2016UTS , DMN2020LSN , DMN2027LK3 , DMN2027USS , DMN2028USS , DMN2040LTS , HY1906P , DMN2050L , DMN2075U , DMN2100UDM , DMN2112SN , DMN2114SN , DMN2170U , DMN2215UDM , DMN2230U .

History: DE375-102N10A | 2SK3078 | IRFB3607 | WMN15N65C4 | INK0103AM1 | CEU12N10L | 2N60L-TF1-T

 

 
Back to Top

 


 
.