JMTC80N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTC80N06A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 108 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 286 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de JMTC80N06A MOSFET
JMTC80N06A Datasheet (PDF)
jmtc80n06a.pdf

JMTC80N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V, 80A Load Switch R
Otros transistores... JMTC3002B , JMTC3003A , JMTC3005A , JMTC320N10A , JMTC4004A , JMTC58N06B , JMTC60N04B , JMTC6888A , RU6888R , JMTL3400A , JMTL3400L , JMTL3401B , JMTL3402A , JMTL3404A , JMTL3404B , JMTL3406A , JMTL3407A .
History: FDA2712 | SFS06R06DF | SRC60R068BSTL | MCG10P03-TP | SIL2322A
History: FDA2712 | SFS06R06DF | SRC60R068BSTL | MCG10P03-TP | SIL2322A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet | 2sa750 replacement