JMTLA3134K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTLA3134K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.23 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT323
Búsqueda de reemplazo de JMTLA3134K MOSFET
JMTLA3134K Datasheet (PDF)
jmtla3134k.pdf
JMTLA3134KDescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 20V, 0.9A Load SwitchR
jmtla2n7002ks.pdf
JMTLA2N7002KSDescriptionJMT N-channel MOSFETFeatures Application V =60V, I =0.2A Battery Operated SystemsDS DR
Otros transistores... JMTL3406A , JMTL3407A , JMTL3415KL , JMTL3416KS , JMTL3N10A , JMTL400N04A , JMTL850P04A , JMTLA2N7002KS , 60N06 , JMTQ250C03D , JMTQ3003A , JMTQ3005A , JMTQ3005C , JMTQ3006B , JMTQ3006C , JMTQ3008A , JMTQ3010D .
History: SWP7N60D | IXFQ50N50P3 | AP15P10GP-HF | AP4800GM | FDP80N06 | BSZ019N03LS | FDMS9620S
History: SWP7N60D | IXFQ50N50P3 | AP15P10GP-HF | AP4800GM | FDP80N06 | BSZ019N03LS | FDMS9620S
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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