JMTQ250C03D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTQ250C03D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 79 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3-8L-D

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JMTQ250C03D datasheet

 ..1. Size:585K  jiejie micro
 jmtq250c03d.pdf pdf_icon

JMTQ250C03D

JMTQ250C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application N-Channel 30V, 9A Battery Protection R

 9.1. Size:793K  jiejie micro
 jmtq240c03d.pdf pdf_icon

JMTQ250C03D

JMTQ240C03D Description JMT N And P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications N-channel 30V, 10A Battery Protection RDS(ON)

 9.2. Size:852K  jiejie micro
 jmtq230n04d.pdf pdf_icon

JMTQ250C03D

JMTQ230N04D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 12A Load Switch RDS(ON)

 9.3. Size:1222K  jiejie micro
 jmtq200p03a.pdf pdf_icon

JMTQ250C03D

JMTQ200P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -12A Load Switch RDS(ON)

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