JMTQ250C03D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTQ250C03D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L-D

Аналог (замена) для JMTQ250C03D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTQ250C03D даташит

 ..1. Size:585K  jiejie micro
 jmtq250c03d.pdf pdf_icon

JMTQ250C03D

JMTQ250C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application N-Channel 30V, 9A Battery Protection R

 9.1. Size:793K  jiejie micro
 jmtq240c03d.pdf pdf_icon

JMTQ250C03D

JMTQ240C03D Description JMT N And P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications N-channel 30V, 10A Battery Protection RDS(ON)

 9.2. Size:852K  jiejie micro
 jmtq230n04d.pdf pdf_icon

JMTQ250C03D

JMTQ230N04D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 12A Load Switch RDS(ON)

 9.3. Size:1222K  jiejie micro
 jmtq200p03a.pdf pdf_icon

JMTQ250C03D

JMTQ200P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -12A Load Switch RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMTL3407A, JMTL3415KL, JMTL3416KS, JMTL3N10A, JMTL400N04A, JMTL850P04A, JMTLA2N7002KS, JMTLA3134K, IRFZ46N, JMTQ3003A, JMTQ3005A, JMTQ3005C, JMTQ3006B, JMTQ3006C, JMTQ3008A, JMTQ3010D, JMTQ320N10A