JMTQ3010D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTQ3010D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3-8L-D

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JMTQ3010D datasheet

 ..1. Size:628K  jiejie micro
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JMTQ3010D

JMTQ3010D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 22A Load Switch RDS(ON)

 8.1. Size:1237K  jiejie micro
 jmtq3005c.pdf pdf_icon

JMTQ3010D

30V, 61A, 5.4m N-channel Power Trench MOSFET JMTQ3005C Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 61 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.3 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 5.4 mW Applications Load Switch PW

 8.2. Size:1240K  jiejie micro
 jmtq3008a.pdf pdf_icon

JMTQ3010D

30V, 41A, 8.8m N-channel Power Trench MOSFET JMTQ3008A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 41 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 6.1 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 8.8 mW Applications Load Switch PW

 8.3. Size:1120K  jiejie micro
 jmtq3005a.pdf pdf_icon

JMTQ3010D

JMTQ3005A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications l 30V, 50A l Load Switch RDS(ON)

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