JMTQ3010D Todos los transistores

 

JMTQ3010D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTQ3010D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L-D
 

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JMTQ3010D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:628K  jiejie micro
 jmtq3010d.pdf pdf_icon

JMTQ3010D

JMTQ3010DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 22A Load SwitchRDS(ON)

 8.1. Size:1237K  jiejie micro
 jmtq3005c.pdf pdf_icon

JMTQ3010D

30V, 61A, 5.4m N-channel Power Trench MOSFETJMTQ3005CProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 61 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.3 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 5.4 mWApplications Load Switch PW

 8.2. Size:1240K  jiejie micro
 jmtq3008a.pdf pdf_icon

JMTQ3010D

30V, 41A, 8.8m N-channel Power Trench MOSFETJMTQ3008AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 41 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 6.1 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 8.8 mWApplications Load Switch PW

 8.3. Size:1120K  jiejie micro
 jmtq3005a.pdf pdf_icon

JMTQ3010D

JMTQ3005ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applicationsl 30V, 50A l Load Switch RDS(ON)

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History: SM9926

 

 
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