JMTQ3400D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTQ3400D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 118 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0138 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3-8L

Búsqueda de reemplazo de JMTQ3400D MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

JMTQ3400D datasheet

..1. Size:1240K jiejie micro
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30V, 40A, 11.3m N-channel Power Trench MOSFET JMTQ3400D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 40 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 10.6 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 11.3 mW Applications Load Switch

9.1. Size:627K 1
jmtq35n06a.pdf pdf_icon