JMTQ3400D datasheet, аналоги, параметры транзистора

JMTQ3400D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTQ3400D

Маркировка: Q3400D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0138 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L

Аналог (замена) для JMTQ3400D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

JMTQ3400D даташит

..1. Size:1240K jiejie micro
jmtq3400d.pdf pdf_icon

30V, 40A, 11.3m N-channel Power Trench MOSFET JMTQ3400D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 40 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 10.6 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 11.3 mW Applications Load Switch

9.1. Size:627K 1
jmtq35n06a.pdf pdf_icon