JMSL04055GQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSL04055GQ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 119 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 633 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

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JMSL04055GQ datasheet

 ..1. Size:1190K  jiejie micro
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JMSL04055GQ

40V, 119A, 4.6m N-channel Power SGT MOSFET JMSL04055GQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 40 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 1.8 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 119 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.1 mW AEC-Q101 Qualified RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 4.6 mW Applications

 5.1. Size:1236K  jiejie micro
jmsl04055uq.pdf pdf_icon

JMSL04055GQ

40V, 62A, 5.1m N-channel Power SGT MOSFET JMSL04055UQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 40 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 1.7 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 62 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.5 mW AEC-Q101 Qualified RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 5.1 mW Pb-free plating

 7.1. Size:289K  1
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JMSL04055GQ

JMSL0406AG 40V 4.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge VGS(th) 1.7 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 70 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) (@ VGS = 10V) 4.2 m Applications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications Current Switching in DC/DC

 7.2. Size:557K  jiejie micro
jmsl0406agdq.pdf pdf_icon

JMSL04055GQ

JMSL0406AGDQ 40V 5.5mW Dual N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 49 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 5.5 mW RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 7.0 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qu

Otros transistores... JMTQ90N02A, JMSL0403AG, JMSL0403AGQ, JMSL0403AU, JMSL0403PG, JMSL0403PGQ, JMSL0403PK, JMSL0403PU, IRF540, JMSL04055UQ, JMSL04060GDQ, JMSL0406AGD, JMSL0406AGDQ, JMSL0406AGQ, JMSL0406AK, JMSL0406AKQ, JMSL1010AC