JMSL04055GQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL04055GQ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 119 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 633 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

Аналог (замена) для JMSL04055GQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL04055GQ даташит

 ..1. Size:1190K  jiejie micro
jmsl04055gq.pdfpdf_icon

JMSL04055GQ

40V, 119A, 4.6m N-channel Power SGT MOSFET JMSL04055GQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 40 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 1.8 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 119 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.1 mW AEC-Q101 Qualified RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 4.6 mW Applications

 5.1. Size:1236K  jiejie micro
jmsl04055uq.pdfpdf_icon

JMSL04055GQ

40V, 62A, 5.1m N-channel Power SGT MOSFET JMSL04055UQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 40 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 1.7 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 62 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.5 mW AEC-Q101 Qualified RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 5.1 mW Pb-free plating

 7.1. Size:289K  1
jmsl0406ag.pdfpdf_icon

JMSL04055GQ

JMSL0406AG 40V 4.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge VGS(th) 1.7 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 70 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) (@ VGS = 10V) 4.2 m Applications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications Current Switching in DC/DC

 7.2. Size:557K  jiejie micro
jmsl0406agdq.pdfpdf_icon

JMSL04055GQ

JMSL0406AGDQ 40V 5.5mW Dual N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 49 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 5.5 mW RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 7.0 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qu

Другие IGBT... JMTQ90N02A, JMSL0403AG, JMSL0403AGQ, JMSL0403AU, JMSL0403PG, JMSL0403PGQ, JMSL0403PK, JMSL0403PU, IRF540, JMSL04055UQ, JMSL04060GDQ, JMSL0406AGD, JMSL0406AGDQ, JMSL0406AGQ, JMSL0406AK, JMSL0406AKQ, JMSL1010AC