Справочник MOSFET. JMSL04055GQ

 

JMSL04055GQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSL04055GQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 119 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 633 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSL04055GQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL04055GQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1190K  jiejie micro
jmsl04055gq.pdfpdf_icon

JMSL04055GQ

40V, 119A, 4.6m N-channel Power SGT MOSFETJMSL04055GQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) ParametersValue Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 1.8 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 119 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.1 mW AEC-Q101 Qualified RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 4.6 mWApplications

 5.1. Size:1236K  jiejie micro
jmsl04055uq.pdfpdf_icon

JMSL04055GQ

40V, 62A, 5.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSL04055UQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) ParametersValue Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 1.7 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 62 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.5 mW AEC-Q101 Qualified RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 5.1 mW Pb-free plating

 7.1. Size:289K  1
jmsl0406ag.pdfpdf_icon

JMSL04055GQ

JMSL0406AG40V 4.2m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge VGS(th)1.7 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 70 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) (@ VGS = 10V)4.2 mApplications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications Current Switching in DC/DC

 7.2. Size:557K  jiejie micro
jmsl0406agdq.pdfpdf_icon

JMSL04055GQ

JMSL0406AGDQ40V 5.5mW Dual N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 49 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)5.5 mW RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)7.0 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qu

Другие MOSFET... JMTQ90N02A , JMSL0403AG , JMSL0403AGQ , JMSL0403AU , JMSL0403PG , JMSL0403PGQ , JMSL0403PK , JMSL0403PU , IRF540N , JMSL04055UQ , JMSL04060GDQ , JMSL0406AGD , JMSL0406AGDQ , JMSL0406AGQ , JMSL0406AK , JMSL0406AKQ , .

History: ZXMS6002G

 

 
Back to Top

 


 
.