JMSL0406AGQ Todos los transistores

 

JMSL0406AGQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL0406AGQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 536 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L-D
 

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JMSL0406AGQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:400K  jiejie micro
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JMSL0406AGQ

JMSL0406AGQ40V 4.2m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 90 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)4.2 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)5.8 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qu

 4.1. Size:289K  1
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JMSL0406AGQ

JMSL0406AG40V 4.2m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge VGS(th)1.7 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 70 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) (@ VGS = 10V)4.2 mApplications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications Current Switching in DC/DC

 4.2. Size:557K  jiejie micro
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JMSL0406AGQ

JMSL0406AGDQ40V 5.5mW Dual N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 49 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)5.5 mW RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)7.0 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qu

 4.3. Size:320K  jiejie micro
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JMSL0406AGQ

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History: GWM180-004X2-SMD | FDU6N25 | FDMC86570L

 

 
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