JMSL1010AP Todos los transistores

 

JMSL1010AP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL1010AP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 335 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0111 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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JMSL1010AP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:352K  jiejie micro
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JMSL1010AP

JMSL1010AP100V 9.2m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_typ1.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 11 A Pb-free Lead Plating RDS(ON) (@ VGS = 10V)9.2 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V)11.8 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Manager

 5.1. Size:402K  jiejie micro
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JMSL1010AP

JMSL1010AGQ100V 8.0m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.9 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 68 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)8.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.2. Size:325K  jiejie micro
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JMSL1010AP

JMSL1010AG100V 8.0m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 58 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)8.0 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)10.5 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Po

 5.3. Size:335K  jiejie micro
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JMSL1010AP

JMSL1010AU100V 9.6m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 38 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)9.6 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)12.0 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Powe

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History: IXFA12N50P | ME12N15 | SI3585DV-T1 | IXFA16N50P

 

 
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