JMSL1010AP datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: JMSL1010AP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0111 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для JMSL1010AP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JMSL1010AP даташит
jmsl1010ap.pdf
JMSL1010AP 100V 9.2m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_typ 1.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 11 A Pb-free Lead Plating RDS(ON) (@ VGS = 10V) 9.2 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 11.8 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Manager
jmsl1010agq.pdf
JMSL1010AGQ 100V 8.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.9 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 68 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 8.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications
jmsl1010ag.pdf
JMSL1010AG 100V 8.0m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 58 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 8.0 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 10.5 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Po
jmsl1010au.pdf
JMSL1010AU 100V 9.6m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 38 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 9.6 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 12.0 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Powe
Другие IGBT... JMSL0406AGQ, JMSL0406AK, JMSL0406AKQ, JMSL1010AC, JMSL1010AG, JMSL1010AGQ, JMSL1010AK, JMSL1010AKQ, 10N60, JMSL1010AU, JMSL1010AUQ, JMSL1010PC, JMSL1010PE, JMSL1010PG, JMSL1010PGD, JMSL1010PGQ, JMSL1010PGS
History: JMTJ3401A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ | ASDM60N45KQ | ASDM60N30KQ | ASDM540G | ASDM4976S | ASDM4606S | ASDM40R009NQ | ASDM40N80KQ | ASDM40N60KQ
Popular searches
c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики








