JMSL1010AP - аналоги и даташиты транзистора

 

JMSL1010AP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSL1010AP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0111 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для JMSL1010AP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL1010AP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:352K  jiejie micro
 jmsl1010ap.pdf pdf_icon

JMSL1010AP

JMSL1010AP100V 9.2m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_typ1.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 11 A Pb-free Lead Plating RDS(ON) (@ VGS = 10V)9.2 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V)11.8 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Manager

 5.1. Size:402K  jiejie micro
 jmsl1010agq.pdf pdf_icon

JMSL1010AP

JMSL1010AGQ100V 8.0m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.9 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 68 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)8.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.2. Size:325K  jiejie micro
 jmsl1010ag.pdf pdf_icon

JMSL1010AP

JMSL1010AG100V 8.0m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 58 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)8.0 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)10.5 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Po

 5.3. Size:335K  jiejie micro
 jmsl1010au.pdf pdf_icon

JMSL1010AP

JMSL1010AU100V 9.6m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 38 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)9.6 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)12.0 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Powe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSL0406AGQ , JMSL0406AK , JMSL0406AKQ , JMSL1010AC , JMSL1010AG , JMSL1010AGQ , JMSL1010AK , JMSL1010AKQ , IRFB4227 , JMSL1010AU , JMSL1010AUQ , JMSL1010PC , JMSL1010PE , JMSL1010PG , JMSL1010PGD , JMSL1010PGQ , JMSL1010PGS .

History: IXFA130N10T2 | IXFA12N50P | SI3585DV-T1 | IXFA16N50P

 

 
Back to Top

 


 
.