JMSL1010AUQ Todos los transistores

 

JMSL1010AUQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL1010AUQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 335 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0106 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
 

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JMSL1010AUQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:423K  jiejie micro
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JMSL1010AUQ

JMSL1010AUQ100V 8.5m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.9 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 46 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)8.5 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)10.5 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101

 4.1. Size:335K  jiejie micro
jmsl1010au.pdf pdf_icon

JMSL1010AUQ

JMSL1010AU100V 9.6m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 38 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)9.6 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)12.0 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Powe

 5.1. Size:402K  jiejie micro
jmsl1010agq.pdf pdf_icon

JMSL1010AUQ

JMSL1010AGQ100V 8.0m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.9 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 68 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)8.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.2. Size:325K  jiejie micro
jmsl1010ag.pdf pdf_icon

JMSL1010AUQ

JMSL1010AG100V 8.0m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 58 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)8.0 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)10.5 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Po

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