JMSL1010AUQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL1010AUQ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0106 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L

Аналог (замена) для JMSL1010AUQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL1010AUQ даташит

 ..1. Size:423K  jiejie micro
jmsl1010auq.pdfpdf_icon

JMSL1010AUQ

JMSL1010AUQ 100V 8.5m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.9 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 46 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 8.5 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 10.5 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101

 4.1. Size:335K  jiejie micro
jmsl1010au.pdfpdf_icon

JMSL1010AUQ

JMSL1010AU 100V 9.6m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 38 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 9.6 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 12.0 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Powe

 5.1. Size:402K  jiejie micro
jmsl1010agq.pdfpdf_icon

JMSL1010AUQ

JMSL1010AGQ 100V 8.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.9 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 68 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 8.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.2. Size:325K  jiejie micro
jmsl1010ag.pdfpdf_icon

JMSL1010AUQ

JMSL1010AG 100V 8.0m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 58 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 8.0 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 10.5 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Po

Другие IGBT... JMSL0406AKQ, JMSL1010AC, JMSL1010AG, JMSL1010AGQ, JMSL1010AK, JMSL1010AKQ, JMSL1010AP, JMSL1010AU, IRFB4115, JMSL1010PC, JMSL1010PE, JMSL1010PG, JMSL1010PGD, JMSL1010PGQ, JMSL1010PGS, JMSL1010PK, JMSL1010PKS