JMSL1010PGD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSL1010PGD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 731 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0117 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L-D

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JMSL1010PGD datasheet

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JMSL1010PGD

100V, 69A, 10.8m N-channel Power SGT MOSFET JMSL1010PGD Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 69 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 9.0 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 10.8 mW Load Switch PWM Application

 4.1. Size:336K  jiejie micro
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JMSL1010PGD

JMSL1010PG 100V 6.4m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 74 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 6.4 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant Applications Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Ro

 4.2. Size:1237K  jiejie micro
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JMSL1010PGD

100V, 75A, 10.4m N-channel Power SGT MOSFET JMSL1010PGS Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 75 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.7 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 10.4 mW Load Switch PWM Application

 4.3. Size:1230K  jiejie micro
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JMSL1010PGD

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