JMSL1509PG Todos los transistores

 

JMSL1509PG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL1509PG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 89 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 336 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0133 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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JMSL1509PG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1239K  jiejie micro
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JMSL1509PG

150V, 75A, 13.6m N-channel Power SGT MOSFETJMSL1509PGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 150 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 75 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 10.2 mWApplications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 13.6 mW Load Switch PWM Application

 9.1. Size:289K  jiejie micro
jmsl10130aud.pdf pdf_icon

JMSL1509PG

JMSL10130AUD100V 100m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 10 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 100 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)123 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Ma

 9.2. Size:377K  jiejie micro
jmsl1040agq.pdf pdf_icon

JMSL1509PG

JMSL1040AGQ100V 29m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 27 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)29 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)39 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualifi

 9.3. Size:301K  jiejie micro
jmsl1008agq.pdf pdf_icon

JMSL1509PG

JMSL1008AGQ100V 6.0m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 88 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)6.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)8.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101

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