JMSL1509PG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL1509PG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 89 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 336 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0133 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

Аналог (замена) для JMSL1509PG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL1509PG даташит

 ..1. Size:1239K  jiejie micro
jmsl1509pg.pdfpdf_icon

JMSL1509PG

150V, 75A, 13.6m N-channel Power SGT MOSFET JMSL1509PG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 150 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 75 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 10.2 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 13.6 mW Load Switch PWM Application

 9.1. Size:289K  jiejie micro
jmsl10130aud.pdfpdf_icon

JMSL1509PG

JMSL10130AUD 100V 100m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 10 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 100 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 123 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Ma

 9.2. Size:377K  jiejie micro
jmsl1040agq.pdfpdf_icon

JMSL1509PG

JMSL1040AGQ 100V 29m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 27 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 29 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 39 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualifi

 9.3. Size:301K  jiejie micro
jmsl1008agq.pdfpdf_icon

JMSL1509PG

JMSL1008AGQ 100V 6.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 88 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 6.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 8.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101

Другие IGBT... JMSL1010PGS, JMSL1010PK, JMSL1010PKS, JMSL1010PP, JMSL1010PU, JMSL10A13K, JMSL10A13L, JMSL10A13P, IRLB4132, JMTD2N7002KS, JMTD3134K, JMTE018N03A, JMTE025N04D, JMTE035N04A, JMTE035N06D, JMTE060N06A, JMTE068N07A