JMTE025N04D Todos los transistores

 

JMTE025N04D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTE025N04D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 225 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1025 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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JMTE025N04D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1344K  jiejie micro
 jmte025n04d.pdf pdf_icon

JMTE025N04D

40V, 190A, 1.5m N-channel Power Trench MOSFETJMTE025N04DProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.7 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 190 ARDS(ON)_Typ@VGS=10V 1.5 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG ST

 9.1. Size:1263K  jiejie micro
 jmte018n03a.pdf pdf_icon

JMTE025N04D

30V, 190A, 1.9m N-channel Power Trench MOSFETJMTE018N03AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 30 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 190 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.9 mWApplications Load Switch PWM Application Power M

 9.2. Size:536K  jiejie micro
 jmte070n07a.pdf pdf_icon

JMTE025N04D

JMTE070N07A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 68V, 120A Load Switch R

 9.3. Size:381K  jiejie micro
 jmte035n06d.pdf pdf_icon

JMTE025N04D

JMTE035N06DDescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 60V, 180A Load SwitchR

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