JMTE025N04D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTE025N04D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 225 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1025 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm

Encapsulados: TO263

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

JMTE025N04D datasheet

..1. Size:1344K jiejie micro
jmte025n04d.pdf pdf_icon

40V, 190A, 1.5m N-channel Power Trench MOSFET JMTE025N04D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 190 A RDS(ON)_Typ@VGS=10V 1.5 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S T

9.1. Size:1263K jiejie micro
jmte018n03a.pdf pdf_icon

30V, 190A, 1.9m N-channel Power Trench MOSFET JMTE018N03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 30 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 190 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.9 mW Applications Load Switch PWM Application Power M

9.2. Size:536K jiejie micro
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