JMTE025N04D datasheet, аналоги, параметры транзистора

JMTE025N04D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTE025N04D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1025 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для JMTE025N04D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

JMTE025N04D даташит

..1. Size:1344K jiejie micro
jmte025n04d.pdf pdf_icon

40V, 190A, 1.5m N-channel Power Trench MOSFET JMTE025N04D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 190 A RDS(ON)_Typ@VGS=10V 1.5 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S T

9.1. Size:1263K jiejie micro
jmte018n03a.pdf pdf_icon

30V, 190A, 1.9m N-channel Power Trench MOSFET JMTE018N03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 30 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 190 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.9 mW Applications Load Switch PWM Application Power M

9.2. Size:536K jiejie micro
jmte070n07a.pdf pdf_icon