DMN2300UFB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMN2300UFB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67.6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm

Encapsulados: X1DFN10063

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DMN2300UFB datasheet

 0.1. Size:165K  diodes
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DMN2300UFB

A Product Line of Diodes Incorporated DMN2300UFB4 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Footprint of just 0.6mm2 thirteen times smaller than SOT23 ID V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25 C 0.4mm profile ideal for low profile applications (Note 5) Low Gate Threshold Voltage 175m @ VGS = 4.5V 1.30A Fast Switching Speed 240m @ VGS =

 5.1. Size:275K  diodes
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DMN2300UFB

A Product Line of Diodes Incorporated DMN2300UFD 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Gate Threshold Voltage ID max Fast Switching Speed V(BR)DSS RDS(on) Max TA = 25 C (Notes 4) Lead Free , RoHS Compliant (Note 1) 200m @ VGS = 4.5V 1.73A Halogen and Antimony Free. "Green" Device (Note 2) 260m @ VGS = 2.5V

 5.2. Size:225K  diodes
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DMN2300UFB

DMN2300UFL4 20V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Footprint of Just 1.3 mm2 TA = +25 C V(BR)DSS Max RDS(on) Ultra Low Profile Package - 0.4mm Profile (Note 6) On Resistance

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