DMN2300UFB - аналоги и даташиты транзистора

 

DMN2300UFB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DMN2300UFB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 67.6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm
   Тип корпуса: X1DFN10063
 

 Аналог (замена) для DMN2300UFB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN2300UFB Datasheet (PDF)

 0.1. Size:165K  diodes
 dmn2300ufb4.pdf pdf_icon

DMN2300UFB

A Product Line ofDiodes IncorporatedDMN2300UFB420V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Footprint of just 0.6mm2 thirteen times smaller than SOT23 ID V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C 0.4mm profile ideal for low profile applications (Note 5) Low Gate Threshold Voltage 175m @ VGS = 4.5V 1.30A Fast Switching Speed 240m @ VGS =

 5.1. Size:275K  diodes
 dmn2300ufd.pdf pdf_icon

DMN2300UFB

A Product Line ofDiodes IncorporatedDMN2300UFD20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Gate Threshold Voltage ID max Fast Switching Speed V(BR)DSS RDS(on) Max TA = 25C (Notes 4) Lead Free, RoHS Compliant (Note 1) 200m @ VGS = 4.5V 1.73A Halogen and Antimony Free. "Green" Device (Note 2) 260m @ VGS = 2.5V

 5.2. Size:225K  diodes
 dmn2300ufl4.pdf pdf_icon

DMN2300UFB

DMN2300UFL4 20V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Footprint of Just 1.3 mm2 TA = +25C V(BR)DSS Max RDS(on) Ultra Low Profile Package - 0.4mm Profile (Note 6) On Resistance

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DMN2075U , DMN2100UDM , DMN2112SN , DMN2114SN , DMN2170U , DMN2215UDM , DMN2230U , DMN2300U , 20N60 , DMN2300UFB4 , DMN2400UFB4 , DMN2400UV , DMN26D0UDJ , DMN26D0UFB4 , DMN26D0UT , DMN2990UDJ , ZXM61N02F .

 

 
Back to Top

 


 
.