JMTE060N06A Todos los transistores

 

JMTE060N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTE060N06A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 181 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 392 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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JMTE060N06A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:343K  jiejie micro
 jmte060n06a.pdf pdf_icon

JMTE060N06A

JMTE060N06ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 60V, 120A Load SwitchR

 8.1. Size:1341K  jiejie micro
 jmte068n07a.pdf pdf_icon

JMTE060N06A

70V, 80A, 6.2m N-channel Power Trench MOSFETJMTE068N07AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 70 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 80 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.8 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=8.0V 6.2 mWApplications Load Switch PWM Application P

 9.1. Size:1263K  jiejie micro
 jmte018n03a.pdf pdf_icon

JMTE060N06A

30V, 190A, 1.9m N-channel Power Trench MOSFETJMTE018N03AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 30 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 190 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.9 mWApplications Load Switch PWM Application Power M

 9.2. Size:536K  jiejie micro
 jmte070n07a.pdf pdf_icon

JMTE060N06A

JMTE070N07A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 68V, 120A Load Switch R

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History: DMN3016LK3 | UT60N03G-TND-R | 2SK2593

 

 
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