JMTE068N07A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTE068N07A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 179 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 70 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: TO263

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JMTE068N07A datasheet

 ..1. Size:1341K  jiejie micro
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JMTE068N07A

70V, 80A, 6.2m N-channel Power Trench MOSFET JMTE068N07A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 70 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 80 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.8 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=8.0V 6.2 mW Applications Load Switch PWM Application P

 8.1. Size:343K  jiejie micro
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JMTE068N07A

JMTE060N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V, 120A Load Switch R

 9.1. Size:1263K  jiejie micro
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JMTE068N07A

30V, 190A, 1.9m N-channel Power Trench MOSFET JMTE018N03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 30 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 190 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.9 mW Applications Load Switch PWM Application Power M

 9.2. Size:536K  jiejie micro
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JMTE068N07A

JMTE070N07A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 68V, 120A Load Switch R

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